IPC302N08N3X1SA1
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Infineon Technologies IPC302N08N3X1SA1
| Artikelnummer: | IPC302N08N3X1SA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 4425+ | $3.229 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IPC302N08N3X1SA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPC302N08N3X1SA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 270µA Vgs (Max) - Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V Verlustleistung (max) - Verpackung / Gehäuse Die Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Befestigungsart Surface Mount Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tj) Grundproduktnummer IPC302N IPC302N08N3X1SA1 Einzelheiten PDF [English] IPC302N08N3X1SA1 PDF - EN.pdf -
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